Група вчених із Японії розробила новий тип технології «універсальної пам'яті», яка може значно знизити споживання енергії, одночасно збільшуючи швидкість обробки у майбутніх обчислювальних пристроях. Прорив, заснований на покращеній формі магніторезистивної пам'яті з довільним доступом (MRAM), вирішує критичну проблему в сучасних технологіях пам'яті, поєднуючи швидкість RAM із здатністю зберігати інформацію без постійного джерела живлення. Подолання попередніх обмежень MRAM Згідно з дослідженням, опублікованим у журналі Advanced Science 25 грудня 2024 року, нещодавно розроблена технологія MRAM долає високі енергетичні вимоги, які традиційно обмежували реалізацію MRAM. У той час як звичайні пристрої MRAM споживають мінімальну потужність у режимі очікування, їм потрібний значний електричний струм для перемикання напрямків намагнічування, що представляють двійкові значення, що робить їх непрактичними для широкого використання. Інноваційний дизайн компонентів Дослідницька група створила те, що було описано як «мультифероїдна гетероструктура», що складається з феромагнітних та п'єзоелектричних матеріалів, розділених надтонким шаром ванадію. Така конфігурація дозволяє керувати намагнічуванням за допомогою електричного поля, а не струму, що значно знижує споживання енергії. Попередні прототипи MRAM боролися зі структурними флуктуаціями у феромагнітному шарі. Це ускладнювало підтримку стабільних напрямів намагнічування. Додавання шару ванадію діє як буфер між матеріалами. Це, у свою чергу, допомагає пристрою зберігати свою форму та вигляд, зберігаючи магнітний стан навіть після видалення електричного заряду. За словами дослідників, їхній прототип продемонстрував здатність перемикати напрямок намагнічування з використанням мінімального електричного струму. Проте дослідження не розглядало потенційне погіршення ефективності перемикання з часом. Це найпоширеніша проблема в електричних пристроях. Ця технологія потенційно може забезпечити більш потужні комерційні обчислення з більш тривалим терміном служби пристроїв, оскільки вона споживає значно менше енергії, ніж попередні рішення, і забезпечує більшу стійкість, ніж поточні технології оперативної пам'яті, не вимагаючи частин, що рухаються.
Сподобалася ця новина? Підпишись на нас у соцмережах!
Sourse: novate.ru
