Згідно з дослідженням, опублікованим у журналі Nature, дослідницька група представила польовий транзистор gate-all-around (GAAFET), створений з використанням вісмуту оксиселеніду. Ця структура відрізняється від звичайних польових транзисторів fin-field-effect (FinFET) тим, що повністю оточує виток транзистора затвором з усіх чотирьох сторін замість трьох. Дослідники припустили, що ця конструкція покращує електростатичний контроль і дозволяє використовувати вищі струми збудження. Це спричинить більш ефективну роботу.
Як повідомляє South China Morning Post, провідний автор Хайлінь Пен, професор хімії Пекінського університету, описав інновацію як відхід від традиційних матеріалів, а не як розширення існуючої технології. У дослідженні говориться, що оксиселенід вісмуту забезпечує більш високу рухливість носіїв, що забезпечує швидший рух електронів під дією електричного поля. Висока діелектрична проникність матеріалу також була відзначена як добрий фактор, що сприяє енергоефективності. Повідомляється, що нові транзистори менш тендітні і гнучкіші, ніж альтернативи на основі кремнію.
Якщо ці транзистори будуть успішно розроблені для великомасштабного виробництва, Китай зможе оминути обмеження щодо закупівлі передових чіпів. Використовуючи альтернативний напівпровідниковий матеріал, китайські виробники можуть перейти до незалежного процесу виготовлення чипів, скоротивши залежність від існуючих технологій глобальних напівпровідникових компаній.
Сподобалася ця новина? Підпишись на нас у соцмережах!
Дивіться ще
- Huawei випускає перший у світі смартфон із потрійним складанням 20.02.2025
- Нанодрот може використовуватися для створення транзисторів нового покоління 9.02.2022
- Вченим вдалося створити робочий прототип процесора на надпровідниках 21.01.2021
Sourse: novate.ru
